مشخصات
اطلاعات اضافی
مدل و سازنده
| مدل | PRO 950 NVME 512G |
|---|---|
| سازنده | سامسونگ |
مشخصات فیزیکی
| ابعاد | 2.38 × 22.15 × 80.15 میلی متر |
|---|---|
| وزن | 10 گرم |
مشخصات فنی
| رابط | M.2 NVME |
|---|---|
| ظرفیت | 512 گیگابایت |
| نوع حافظه فلش | Samsung V-NAND |
| میانگین طول عمر (MTBF) | 1.5 ملیون ساعت |
| نوع کنترل کننده (Controller) | Samsung UBX |
| سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی | UP TO 300,000 IOPS |
| سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی | UP TO 110,000 IOPS |
| سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی | 2500 مگابایت بر ثانیه |
| سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی | 1500 مگابایت بر ثانیه |
| مقاوم در برابر شوک | √ |
| هیت سینک خنک کننده | × |
| پشتیبانی از TRIM | √ |
| سایر مشخصات | میزان مقاومت شوک : 1,500G & 0.5ms
دمای عملیاتی : 32 تا 158 درجه سانتیگراد مصرف برق : میانگین 70 میلی وات و حداکثر 5.7 وات |
جزییات
نظرات
نظر خودتان را بنویسید
فقط کاربران ثبت نام شده می توانند نظر ثبت كنند. لطفا, وارد سيستم شويد يا ثبت نام كنيد
