مشخصات
اطلاعات اضافی
مدل و سازنده
مدل | 990 EVO |
---|---|
سازنده | سامسونگ |
مشخصات فیزیکی
ابعاد | طول : 80 میلی متر عرض : 22 میلی متر ضخامت : 2.38 میلی متر |
---|---|
وزن | 9 گرم |
مشخصات فنی
رابط | M.2 NVME |
---|---|
نوع رابط PCIe | PCIe 4.0 |
ظرفیت | 1 ترابایت |
نوع حافظه فلش | Samsung V-NAND TLC |
میانگین طول عمر (MTBF) | 1.500.000 ساعت |
نوع کنترل کننده (Controller) | Samsung In-house |
سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی | UP TO 680,000 IOPS |
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی | UP TO 800,000 IOPS |
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی | 5000 مگابایت بر ثانیه |
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی | 4200 مگابایت بر ثانیه |
مقاوم در برابر شوک | √ |
هیت سینک خنک کننده | × |
پشتیبانی از TRIM | √ |
سایر مشخصات | ----- |
جزییات
نظرات
نظر خودتان را بنویسید
فقط کاربران ثبت نام شده می توانند نظر ثبت كنند. لطفا, وارد سيستم شويد يا ثبت نام كنيد