تعداد
مجموع خرید
0تومان مشخصات
اطلاعات اضافی
مدل و سازنده
| مدل | 990 EVO |
|---|---|
| سازنده | سامسونگ |
مشخصات فیزیکی
| ابعاد | طول : 80 میلی متر عرض : 22 میلی متر ضخامت : 2.38 میلی متر |
|---|---|
| وزن | 9 گرم |
مشخصات فنی
| رابط | M.2 NVME |
|---|---|
| نوع رابط PCIe | PCIe 4.0 |
| ظرفیت | 1 ترابایت |
| نوع حافظه فلش | Samsung V-NAND TLC |
| میانگین طول عمر (MTBF) | 1.500.000 ساعت |
| نوع کنترل کننده (Controller) | Samsung In-house |
| سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی | UP TO 680,000 IOPS |
| سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی | UP TO 800,000 IOPS |
| سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی | 5000 مگابایت بر ثانیه |
| سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی | 4200 مگابایت بر ثانیه |
| مقاوم در برابر شوک | √ |
| هیت سینک خنک کننده | × |
| پشتیبانی از TRIM | √ |
| سایر مشخصات | ----- |
جزییات
اس اس دی سامسونگ 1 ترابایت مدل M.2 NVME 990 EVO
نظرات
نظر خودتان را بنویسید
فقط کاربران ثبت نام شده می توانند نظر ثبت كنند. لطفا, وارد سيستم شويد يا ثبت نام كنيد