مشخصات
اطلاعات اضافی
مدل و سازنده
مدل | MZ-V7E250BW |
---|---|
سازنده | سامسونگ |
مشخصات فیزیکی
ابعاد | 2.38 × 22.15 × 80.15 میلی متر |
---|---|
وزن | 8 گرم |
مشخصات فنی
رابط | M.2 NVME |
---|---|
ظرفیت | 250 گیگابایت |
نوع حافظه فلش | V-NAND 3-bit MLC |
میانگین طول عمر (MTBF) | 1.5 ملیون ساعت |
نوع کنترل کننده (Controller) | Samsung Phoenix |
سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی | UP TO 200,000 IOPS |
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی | UP TO 350,000 IOPS |
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی | 3400 مگابایت بر ثانیه |
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی | 1500 مگابایت بر ثانیه |
مقاوم در برابر شوک | √ |
هیت سینک خنک کننده | × |
پشتیبانی از TRIM | √ |
سایر مشخصات | میزان مقاومت شوک : 1,500G & 0.5ms
دمای عملیاتی : 0 تا 70 درجه سانتیگراد مصرف برق : میانگین 5.4 وات و حداکثر 9 وات |
جزییات
نظرات
نظر خودتان را بنویسید
فقط کاربران ثبت نام شده می توانند نظر ثبت كنند. لطفا, وارد سيستم شويد يا ثبت نام كنيد