در حال بارگذاری...


مشاوره : قطعات اصلی 4342-938-0939 آقای علیپور || قطعات جانبی 3932-006-0901 آقای منبتی
051-37638090
0

اس اس دی سامسونگ 1 ترابایت مدل EVO 860

شناسه محصول : 10754
تضمین اصالت کالا
تحویل سریع
پرداخت آنلاین
نماد اعتماد

 

    • ظرفیت : 1 ترابایت

 

    • نوع رابط : ساتا – SATA

 

    • سرعت خواندن اطلاعات : 550 مگابایت بر ثانیه

 

    • سرعت نوشتن اطلاعات : 520 مگابایت بر ثانیه

 

    • نوع حافظه فلش : Samsung V-NAND 3bit MLC

 

    • نوع کنترل کننده : Samsung MJX

 

    • میانگین طول عمر : 1.500.000 ساعت

 

    • مقاوم در برابر شوک :

 

اتمام موجودی

اس اس دی سامسونگ مدل evo 860 دارای ظرفیت 1 ترابایت و قالب 2.5 اینچ می باشد و توسط رابط ساتا (Sata) می توان این حافظه پر سرعت را به کامپیوتر و لپ تاپ متصل کرد.سرعت خواندن و نوشتن در این درایو اس اس دی برابر 550 و 520 مگابایت بر ثانیه است.

مدل و سازنده کارت گرافیک
مدلEVO 860 MZ 76E1T0BW
مشخصات فنی اس اس دی
سرعت-خواندن-اطلاعات-به-صورت-تصادفیUP TO 98,000 IOPS
هیت سینک خنک کننده-
مقاوم در برابر شوک-
سرعت-نوشتن-اطلاعات-به-صورت-تصادفیUP TO 90,000 IOPS
نوع-حافظه-فلشSamsung V NAND 3bit MLC
رابط-
سایر ویژگی‌ها
پشتیبانی-از-trim
وزن51 گرم
سایر-مشخصاتمیزان مقاومت شوک : 1,500G & 0.5ms دمای عملیاتی : 0 تا 70 درجه سانتیگراد مصرف برق : میانگین 3.0 وات و حداکثر 4.0 وات
مشخصات فنی اس اس دی اکسترنال
سرعت-نوشتن-اطلاعات-به-صورت-ترتیبی520 مگابایت بر ثانیه
سرعت-خواندن-اطلاعات-به-صورت-ترتیبی550 مگابایت بر ثانیه
نوع-کنترل-کننده-controllerSamsung MJX
میانگین-طول-عمر-mtbf1.5 ملیون ساعت
مشخصات فنی درایو
سازنده درایو-
مشخصات فنی رم
ظرفیت رم-
مشخصات فیزیکی کارت گرافیک
ابعاد6.8 × 69.85 × 100 میلی متر

دیدگاه‌ها بسته شده‌اند.

اس اس دی سامسونگ مدل evo 860 دارای ظرفیت 1 ترابایت و قالب 2.5 اینچ می باشد و توسط رابط ساتا (Sata) می توان این حافظه پر سرعت را به کامپیوتر و لپ تاپ متصل کرد.سرعت خواندن و نوشتن در این درایو اس اس دی برابر 550 و 520 مگابایت بر ثانیه است.

مدل و سازنده کارت گرافیک
مدلEVO 860 MZ 76E1T0BW
مشخصات فنی اس اس دی
سرعت-خواندن-اطلاعات-به-صورت-تصادفیUP TO 98,000 IOPS
هیت سینک خنک کننده-
مقاوم در برابر شوک-
سرعت-نوشتن-اطلاعات-به-صورت-تصادفیUP TO 90,000 IOPS
نوع-حافظه-فلشSamsung V NAND 3bit MLC
رابط-
سایر ویژگی‌ها
پشتیبانی-از-trim
وزن51 گرم
سایر-مشخصاتمیزان مقاومت شوک : 1,500G & 0.5ms دمای عملیاتی : 0 تا 70 درجه سانتیگراد مصرف برق : میانگین 3.0 وات و حداکثر 4.0 وات
مشخصات فنی اس اس دی اکسترنال
سرعت-نوشتن-اطلاعات-به-صورت-ترتیبی520 مگابایت بر ثانیه
سرعت-خواندن-اطلاعات-به-صورت-ترتیبی550 مگابایت بر ثانیه
نوع-کنترل-کننده-controllerSamsung MJX
میانگین-طول-عمر-mtbf1.5 ملیون ساعت
مشخصات فنی درایو
سازنده درایو-
مشخصات فنی رم
ظرفیت رم-
مشخصات فیزیکی کارت گرافیک
ابعاد6.8 × 69.85 × 100 میلی متر

دیدگاه‌ها بسته شده‌اند.

محصولات پیشنهادی

محصولات مرتبط

دسته‌بندی‌ها
قطعات اصلی کامپیوتر
لپ تاپ
لوازم جانبی کامپیوتر
تجهیزات ذخیره سازی
preloader