مشخصات
اطلاعات اضافی
مدل و سازنده
مدل | SAMSUNG 990 EVO Plus |
---|---|
سازنده | سامسونگ |
مشخصات فیزیکی
ابعاد | طول : 80.15 میلی متر عرض : 22.15 میلی متر ضخامت : 2.38 میلی متر |
---|---|
وزن | 9 گرم |
مشخصات فنی
رابط | M.2 NVME |
---|---|
نوع رابط PCIe | PCIe 4.0 |
ظرفیت | 4 ترابایت |
نوع حافظه فلش | Samsung V-NAND TLC |
میانگین طول عمر (MTBF) | 1.500.000ساعت |
نوع کنترل کننده (Controller) | Samsung in-house Controller |
سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی | UP TO 1,050,000 IOPS |
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی | UP TO 1400,000 IOPS |
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی | 7250 مگابایت بر ثانیه |
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی | 6300 مگابایت بر ثانیه |
مقاوم در برابر شوک | √ |
هیت سینک خنک کننده | × |
پشتیبانی از TRIM | √ |
سایر مشخصات | CACHE MEMORY : HMB(Host Memory Buffer) |
جزییات
نظرات
نظر خودتان را بنویسید
فقط کاربران ثبت نام شده می توانند نظر ثبت كنند. لطفا, وارد سيستم شويد يا ثبت نام كنيد