
تضمین اصالت کالا
تحویل سریع
پرداخت آنلاین
نماد اعتماداس اس دی سامسونگ PCIe 4.0 مدل 990 EVO Plus دارای دو ترابایت حافظه با سرعت بالای خواندن اطلاعات 7250 مگابایت بر ثانیه و نوشتن اطلاعات 6300 مگابایت بر ثانیه است.ظرفیت اس اس دی هم یک ترابایت است و در قالب M.2 NVME 2280 PCIe Gen 4.0 x4 می باشد.
| مدل-اس-اس-دی | M.2 990 EVO Plus |
| سازنده اس اس دی | سامسونگ |
| رابط | M.2 NVME |
| نوع رابط PCIe | PCIe 4.0 |
| ظرفیت | 2 ترابایت |
| نوع-حافظه-فلش | Samsung V NAND TLC |
| میانگین-طول-عمر | 1.500.000ساعت |
| نوع-کنترل-کننده | Samsung in house Controller |
| سرعت-خواندن-اطلاعات-به-صورت-تصادفی | UP TO 1,000,000 IOPS |
| سرعت-نوشتن-اطلاعات-به-صورت-تصادفی | UP TO 1350,000 IOPS |
| سرعت-خواندن-اس-اس-دی | 7250 مگابایت بر ثانیه |
| سرعت-نوشتن-اس-اس-دی | 6300 مگابایت بر ثانیه |
| مقاوم در برابر شوک | √ |
| هیت سینک خنک کننده | × |
| پشتیبانی از TRIM | √ |
| سایر-ویژگی-ها | CACHE MEMORY : HMB(Host Memory Buffer) |
اس اس دی سامسونگ PCIe 4.0 مدل 990 EVO Plus دارای دو ترابایت حافظه با سرعت بالای خواندن اطلاعات 7250 مگابایت بر ثانیه و نوشتن اطلاعات 6300 مگابایت بر ثانیه است.ظرفیت اس اس دی هم یک ترابایت است و در قالب M.2 NVME 2280 PCIe Gen 4.0 x4 می باشد.
| مدل-اس-اس-دی | M.2 990 EVO Plus |
| سازنده اس اس دی | سامسونگ |
| رابط | M.2 NVME |
| نوع رابط PCIe | PCIe 4.0 |
| ظرفیت | 2 ترابایت |
| نوع-حافظه-فلش | Samsung V NAND TLC |
| میانگین-طول-عمر | 1.500.000ساعت |
| نوع-کنترل-کننده | Samsung in house Controller |
| سرعت-خواندن-اطلاعات-به-صورت-تصادفی | UP TO 1,000,000 IOPS |
| سرعت-نوشتن-اطلاعات-به-صورت-تصادفی | UP TO 1350,000 IOPS |
| سرعت-خواندن-اس-اس-دی | 7250 مگابایت بر ثانیه |
| سرعت-نوشتن-اس-اس-دی | 6300 مگابایت بر ثانیه |
| مقاوم در برابر شوک | √ |
| هیت سینک خنک کننده | × |
| پشتیبانی از TRIM | √ |
| سایر-ویژگی-ها | CACHE MEMORY : HMB(Host Memory Buffer) |