مشاوره : قطعات 4342-938-0939 || جانبی 3932-006-0901

اس اس دی سامسونگ 2 ترابایت مدل M.2 NVME 990 PRO Heatsink
| مدل-اس-اس-دی | SAMSUNG 990 PRO Heatsink |
| سازنده اس اس دی | سامسونگ |
| رابط | M.2 NVME |
| نوع رابط PCIe | PCIe 4.0 |
| ظرفیت | 2 ترابایت |
| نوع-حافظه-فلش | Samsung V NAND 3 bit MLC |
| نوع-کنترل-کننده | Samsung in house |
| سرعت-خواندن-اطلاعات-به-صورت-تصادفی | UP TO 1,400,000 IOPS |
| سرعت-نوشتن-اطلاعات-به-صورت-تصادفی | UP TO 1,550,000 IOPS |
| سرعت-خواندن-اس-اس-دی | 7450 مگابایت بر ثانیه |
| سرعت-نوشتن-اس-اس-دی | 6900 مگابایت بر ثانیه |
| مقاوم در برابر شوک | √ |
| هیت سینک خنک کننده | √ |
| پشتیبانی از TRIM | √ |
| میانگین-طوب-عمر | 1.500.000 ساعت |
اس اس دی سامسونگ 2 ترابایت مدل M.2 NVME 990 PRO Heatsink
| مدل-اس-اس-دی | SAMSUNG 990 PRO Heatsink |
| سازنده اس اس دی | سامسونگ |
| رابط | M.2 NVME |
| نوع رابط PCIe | PCIe 4.0 |
| ظرفیت | 2 ترابایت |
| نوع-حافظه-فلش | Samsung V NAND 3 bit MLC |
| نوع-کنترل-کننده | Samsung in house |
| سرعت-خواندن-اطلاعات-به-صورت-تصادفی | UP TO 1,400,000 IOPS |
| سرعت-نوشتن-اطلاعات-به-صورت-تصادفی | UP TO 1,550,000 IOPS |
| سرعت-خواندن-اس-اس-دی | 7450 مگابایت بر ثانیه |
| سرعت-نوشتن-اس-اس-دی | 6900 مگابایت بر ثانیه |
| مقاوم در برابر شوک | √ |
| هیت سینک خنک کننده | √ |
| پشتیبانی از TRIM | √ |
| میانگین-طوب-عمر | 1.500.000 ساعت |